申请/专利权人：浙江大学

申请日：2022-11-14

公开（公告）日：2023-01-31

公开（公告）号：CN115656101A

主分类号：G01N21/41

分类号：G01N21/41

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.17#实质审查的生效;2023.01.31#公开

摘要：本发明公开了一种全介质GMR型古斯汉森位移传感芯片，由三层结构组成，底层为透明介质基底，中间层为介质薄膜，上层为周期性排列的超表面光栅阵列；所述的介质薄膜的材料是高折射率低损耗的介质；所述的超表面光栅阵列的材料是较低折射率低损耗的介质；所述的周期性排列的超表面光栅阵列，每个周期单元光栅的周期为P，范围为300‑800nm；光栅的宽度为a，范围为0.3*P‑0.7*P；光栅的厚度为h，范围为0.5‑20nm；光栅的以上结构参数通过微纳加工技术调节。本发明采用全介质GMR型超表面结构，可以极大增强古斯汉森位移，具有高效和高灵敏度等特点。

主权项：1.一种全介质GMR型古斯汉森位移传感芯片，其特征在于，芯片由三层结构组成，底层为透明介质基底（1），中间层为介质薄膜（2），上层为周期性排列的超表面光栅阵列（3）；所述的介质薄膜（2）的材料是高折射率低损耗的介质；所述的超表面光栅阵列（3）的材料是较低折射率低损耗的介质；所述的周期性排列的超表面光栅阵列（3），每个周期单元光栅的周期为P，范围为300-800nm；光栅的宽度为a，范围为0.3*P-0.7*P；光栅的厚度为h，范围为0.5-20nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种全介质GMR型古斯汉森位移传感芯片

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