申请/专利权人：致真存储(北京)科技有限公司

申请日：2022-11-03

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115768240A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;G11C11/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开

摘要：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及一种面内自旋轨道矩器件及其制造方法，所述面内自旋轨道矩器件包括：电流写入层；界面修饰层，设置于所述电流写入层上，所述界面修饰层用于提高所述电流写入层将电荷流转化为自旋流的效率；磁隧道结，设置于所述界面修饰层背离所述电流写入层的一侧；其中，所述磁隧道结具备面内磁各向异性，所述电流写入层用于控制所述磁隧道结包括的自由层的磁矩方向进行翻转。通过在电流写入层和磁隧道结的自由层之间插入界面修饰层，以提高所述电流写入层将电荷流转化为自旋流的效率，从而提高了自由层磁矩方向的翻转效率，进而使得降低了该面内自旋轨道矩器件的功耗。

主权项：1.一种面内自旋轨道矩器件，其特征在于，至少包括：电流写入层；界面修饰层，设置于所述电流写入层上，所述界面修饰层用于提高所述电流写入层将电荷流转化为自旋流的效率；磁隧道结，设置于所述界面修饰层背离所述电流写入层的一侧；其中，所述磁隧道结具备面内磁各向异性，所述电流写入层用于控制所述磁隧道结包括的自由层的磁矩方向进行翻转。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 致真存储(北京)科技有限公司 面内自旋轨道矩器件及其制造方法

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