申请/专利权人：北京航空航天大学

申请日：2022-11-09

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115768241A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85;H10B61/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开

摘要：本公开涉及自旋轨道矩器件技术领域，具体涉及一种面内自旋轨道矩器件，所述面内自旋轨道矩器件包括：第一磁隧道结；第一反铁磁层，设置于所述第一磁隧道结包括的自由层上；电流写入层，设置于所述第一反铁磁层背离所述第一磁隧道结的表面上；其中，所述自由层具备面内磁各向异性，所述自由层的磁矩方向由交换偏置场方向确定，所述第一反铁磁层与所述自由层之间通过退火工艺形成所述交换偏置场。该面内自旋轨道矩器件提高了磁电阻，从而该面内自旋轨道矩器件写入数据的出错率较低，且在刻蚀该面内自旋轨道矩器件的磁隧道结包括的自由层时工艺刻蚀窗口较大使得操作范围也较大。

主权项：1.一种面内自旋轨道矩器件，其特征在于，至少包括：第一磁隧道结；第一反铁磁层，设置于所述第一磁隧道结包括的自由层上；电流写入层，设置于所述第一反铁磁层背离所述第一磁隧道结的表面上；其中，所述自由层具备面内磁各向异性，所述自由层的磁矩方向由交换偏置场方向确定，所述第一反铁磁层与所述自由层之间通过退火工艺形成所述交换偏置场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航空航天大学 面内自旋轨道矩器件

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