申请/专利权人：四川富乐华半导体科技有限公司

申请日：2023-02-08

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799077A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;C23F1/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.18#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法，涉及陶瓷基板制备领域，旨在解决现有台阶蚀刻造成铜面晶界变大，铜面粗糙度大的问题，其技术方案要点是：一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法，包括以下步骤：S1、配置台阶蚀刻液：按质量百分比计Sancy701A5％，双氧水45％，纯水50％；S2、将台阶蚀刻液加热：加热至40℃并持续梯度降温；S3、浸泡：将基板放入蚀刻液浸泡；S4、去除氧化铜：将基板冲洗后放入酸洗液中进行清除表面氧化铜；S5、清洗：用水洗槽清洗掉基板残留的药水。本发明的一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法减小了铜表面粗糙度以及晶粒间距，增加光泽度。

主权项：1.一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、配置台阶蚀刻液：按质量百分比计Sancy701A5％，双氧水45％，纯水50％；S2、将台阶蚀刻液加热：加热至40℃并持续梯度降温；S3、浸泡：将基板放入蚀刻液浸泡；S4、去除氧化铜：将基板冲洗后放入酸洗液中进行清除表面氧化铜；S5、清洗：用水洗槽清洗掉基板残留的药水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川富乐华半导体科技有限公司 一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法

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