申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-01-30

公开（公告）日：2023-05-12

公开（公告）号：CN116110910A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.30#实质审查的生效;2023.05.12#公开

摘要：本发明提供一种新型LTPO‑LCD阵列基板的制作方法，包括下述步骤：将基板分为第一TFT区域和第二TFT区域，位于第二TFT区域上印刷一聚酰亚胺薄膜层；位于第一TFT区域上形成第一有源层，第一有源层包括沟道区域和位于沟道区域两侧的导体化区域；在沟道区域上依次制作第一栅极绝缘层和第一栅极金属层，通过Mask工艺，使第一栅极金属层在基板上的正投影包含沟道区域在基板上的正投影；层间隔离层为SiNx结构；通过干刻或激光处理去除第二TFT区域上的聚酰亚胺薄膜层；依次完成第二TFT区域上的各层制程工艺。本发明可使LTPS‑TFT的H离子扩散工艺仅在第一区域内完成，提升IGZO器件电性稳定性；且可避免第一有源层产生弱导体区域，降低LTPS‑TFT第一源极和第一漏极间电阻，从而降低功耗。

主权项：1.一种新型LTPO-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于：包括下述步骤：S1、将基板分为第一TFT区域和第二TFT区域，位于所述第二TFT区域上印刷一聚酰亚胺薄膜层；S2、位于所述第一TFT区域上采用半色调掩膜形成第一有源层，所述第一有源层包括沟道区域和位于所述沟道区域两侧的导体化区域；S3、在所述沟道区域上依次制作第一栅极绝缘层和第一栅极金属层，通过Mask工艺，使第一栅极金属层在基板上的正投影包含沟道区域在基板上的正投影，所述第一栅极金属层和所述第一栅极绝缘层在基板上的正投影完全重叠；S4、制作层间隔离层，所述层间隔离层为SiNx结构，所述层间隔离层覆盖第一TFT区域的所述第一栅极绝缘层、第一栅极金属层和所述第一有源层，位于所述层间隔离层上制作一第一绝缘层PV；S5、通过干刻或激光处理去除所述第二TFT区域上的聚酰亚胺薄膜层；S6、依次完成第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二绝缘层PV、平坦层、公共电极层、绝缘层CH和像素电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种新型LTPO-LCD阵列基板及其制作方法

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