申请/专利权人：深圳晶源信息技术有限公司

申请日：2019-02-15

公开（公告）日：2023-06-06

公开（公告）号：CN111581907B

主分类号：G06F30/392

分类号：G06F30/392;G06F30/398;G03F1/68;G03F7/20;G06F115/06

优先权：["20190130 CN PCT/CN2019/073988"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.06#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种Hessian－Free的光刻掩模优化方法、装置及电子设备。包括如下步骤：S1、输入待优化掩模的设计版图；S2、在所述待优化掩模的设计版图上放置误差监测点；S3、获得所述待优化掩模的优化变量x；S4、提供关于优化变量x的目标函数cost；S5、利用基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果，基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果能很好的缩小优化过程中的计算资源，使得优化过程更简单，可行，并且提高优化效率；同时不需要类似采用拟牛顿法获得关于H矩阵的近似替换矩阵，能很好的提高优化结果的准确性。

主权项：1.一种Hessian－Free的光刻掩模优化方法，用于对待优化掩模进行优化，其特征在于，包括如下步骤：S1、输入待优化掩模的设计版图；S2、在所述待优化掩模的设计版图上放置误差监测点；S3、获得所述待优化掩模的优化变量x；S4、提供关于优化变量x的目标函数cost；S5、利用基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳晶源信息技术有限公司 一种Hessian-Free的光刻掩模优化方法、装置及电子设备

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