申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2019-03-06

公开（公告）日：2023-07-21

公开（公告）号：CN111902916B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H05H1/00;H05H1/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.21#授权;2020.11.24#实质审查的生效;2020.11.06#公开

摘要：一种等离子体处理装置，具备：处理室101，使用等离子体111对晶片114进行处理；高频电源106，供给用于生成等离子体111的高频电力；机构，使用于形成ECR的磁场形成，并且控制该磁通密度；以及样品台113，载置晶片114。上述等离子体处理装置还具备：控制部107，根据等离子体111的图像数据，监视通过上述高频电力和上述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制上述高频电力的频率，使得监视的上述ECR的高度成为给定的高度。

主权项：1.一种等离子体处理装置，具备：处理室，使用等离子体对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子体的高频电力；样品台，载置所述样品；以及磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场，其特征在于，还具备：控制部，根据所述等离子体的图像数据，监视通过所述高频电力和所述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制所述高频电力的频率，使得监视的所述ECR的高度成为给定的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ECR高度监视器

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