申请/专利权人：安徽科技学院

申请日：2020-10-14

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN112379238B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01R1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.28#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明属于TFET器件技术领域，尤其是一种TFET器件研究用模拟系统，现提出如下方案，包括底板，所述底板的贯穿有第一通孔，所述第一通孔的底部安装有推动机构，所述第一通孔的顶部开口处安装有与底板顶部固接的矩形结构的承载机构，所述承载机构外侧安装有与底板顶部固接的罩壳，所述承载机构相邻的两侧外侧壁均安装有与罩壳固接的衬底上料机构，所述衬底上料机构的正下方安装有位于底板顶部的衬底输送机构，所述承载机构的顶部安装有与罩壳顶部内侧壁固结的顶端上料机构。本发明该设计利用模拟预组装检测方式对TFET器件进行操作，方便对设计的TFET器件性能进行检测研究，提高对TFET器件研究效率。

主权项：1.一种TFET器件研究用模拟系统，包括底板（1），其特征在于，所述底板（1）的贯穿有第一通孔（2），所述第一通孔（2）的底部安装有推动机构（3），所述第一通孔（2）的顶部开口处安装有与底板（1）顶部固接的矩形结构的承载机构（4），所述承载机构（4）外侧安装有与底板（1）顶部固接的罩壳（5），所述承载机构（4）相邻的两侧外侧壁均安装有与罩壳（5）固接的衬底上料机构（7），所述衬底上料机构（7）的正下方安装有位于底板（1）顶部的衬底输送机构（8），所述承载机构（4）的顶部安装有与罩壳（5）顶部内侧壁固结的顶端上料机构（6），所述顶端上料机构（6）的底部一侧安装有与罩壳（5）固结的侧边输送机构（9）；所述承载机构（4）包括与底板（1）顶部固接的矩形结构的承载板（41），所述承载板（41）贯穿有沿竖直方向设置的放置槽（42），且放置槽（42）与第一通孔（2）连通，所述承载板（41）与相邻的一个衬底上料机构（7）相邻的一侧开设有与放置槽（42）连通的第一伸入通道（43），所述第一伸入通道（43）的两侧内侧壁均开设有沿竖直方向等距设置的第一限制槽（44），且第一限制槽（44）延伸并凹陷在放置槽（42）相邻的内侧壁上，所述承载板（41）与相邻的另一个衬底上料机构（7）相邻的一侧开设有与放置槽（42）连通的第二伸入通道（45），所述第二伸入通道（45）的两侧内侧壁均开设有沿竖直方向等距设置的第二限制槽（46），且第二限制槽（46）延伸并凹陷在放置槽（42）相邻的内侧壁上，第二限制槽（46）与第一限制槽（44）交错设置，利用衬底上料机构（7）将TFET器件的衬底沿第一伸入通道（43）和第二伸入通道（45）输送至第一限制槽（44）和第二限制槽（46），利用顶端上料机构（6）将TFET器件的外延层、栅介质层、栅极层、源区和漏区放置在承载板（41）顶部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽科技学院 一种TFET器件研究用模拟系统

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