申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2021-04-29

公开（公告）日：2023-08-25

公开（公告）号：CN116649004A

主分类号：H10B69/00

分类号：H10B69/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.12#实质审查的生效;2023.08.25#公开

摘要：本申请实施例提供一种包含有隧穿场效应晶体管的存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器可以提高工作效率，以及可以降低操作电压，降低功耗。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底，衬底上具有存储单元，该存储单元不仅包括存储部分，还包括位于存储部分两侧的选通管和隧穿场效应晶体管TFET，且存储部分和隧穿场效应晶体管TFET共用控制栅。这样的话，该存储器是基于热空穴注入Hotholeinjection，HHI擦除方式实现擦除，另外，在TFET的调控下，可以降低擦除电压，降低存储器功耗。

主权项：一种存储器，其特征在于，包括：衬底；以及至少一个存储单元，所述至少一个存储单元形成在所述衬底上，任一所述存储单元包括：存储部分，包括：沟道区，位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成在所述衬底中，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同；电荷存储层，设置在所述衬底上且与所述衬底绝缘；第一控制栅，设置在所述电荷存储层的远离所述衬底的一侧，且与所述电荷存储层绝缘；隧穿场效应晶体管，包括:所述第一掺杂区；所述沟道区；第二控制栅，设置在所述第一掺杂区上且与所述第一掺杂区绝缘，所述第二控制栅和所述第一控制栅为一体成型结构；选通管，包括：所述第二掺杂区；所述沟道区；第三控制栅，设置在所述第二掺杂区上且与所述第二掺杂区绝缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 一种具有TFET的存储器

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