申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2023-08-01

公开（公告）号：CN116525613A

主分类号：H01L27/07

分类号：H01L27/07;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要：本申请实施例提供了一种BCD器件，涉及半导体技术领域。该BCD器件至少包括依次连接的：衬底区、第二浓度掺杂埋区、多个DMOS器件单元以及介质层，其中，每个所述DMOS器件单元中至少包括：浓度小于所述第二浓度掺杂埋区的第一浓度掺杂漂移区，以及双扩散金属氧化物半导体场效应管DMOS器件，其特征在于，在相邻两个所述DMOS器件单元之间开设有一第一通孔，所述第一通孔贯穿所述介质层并延伸至所述第二浓度掺杂埋区，且所述第一通孔中至少填充有导电材料；所述第一通孔内壁与由所述导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。解决了目前BCD器件表面利用率较低的技术问题，达到提高BCD器件表面利用率的技术效果。

主权项：1.一种BCD器件，至少包括依次连接的：衬底区、第二浓度掺杂埋区、多个DMOS器件单元以及介质层，其中，每个所述DMOS器件单元中至少包括：浓度小于所述第二浓度掺杂埋区的第一浓度掺杂漂移区，以及双扩散金属氧化物半导体场效应管DMOS器件，其特征在于，在相邻两个所述DMOS器件单元之间开设有一第一通孔，所述第一通孔贯穿所述介质层并延伸至所述第二浓度掺杂埋区，且所述第一通孔中至少填充有导电材料；所述第一通孔内壁与由所述导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 BCD器件

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