申请/专利权人:苏州华太电子技术股份有限公司
申请日:2022-11-04
公开(公告)日:2023-08-01
公开(公告)号:CN116525610A
主分类号:H01L27/06
分类号:H01L27/06;H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开
摘要:本申请实施例提供了一种BCD器件,涉及半导体技术领域。该BCD器件包括:衬底区;多个VDMOS器件单元,铺设于所述衬底表面,其中,每个所述VDMOS器件单元中至少包括第一浓度掺杂埋区与浓度大于所述第一浓度掺杂埋区的第二浓度掺杂埋区,各所述第一浓度掺杂埋区的厚度不完全相同。解决了目前的具有不同耐压等级MOS器件的BCD器件的表面积利用率较低的技术问题,达到了提高BCD器件的表面积利用率的技术效果。
主权项:1.一种BCD器件,其特征在于,包括:衬底区;多个VDMOS器件单元,铺设于所述衬底表面,其中,每个所述VDMOS器件单元中至少包括第一浓度掺杂埋区与浓度大于所述第一浓度掺杂埋区的第二浓度掺杂埋区,各所述第一浓度掺杂埋区的厚度不完全相同。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州华太电子技术股份有限公司 BCD器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。