申请/专利权人：苏州大学

申请日：2020-11-06

公开（公告）日：2023-09-01

公开（公告）号：CN112489717B

主分类号：G11C29/44

分类号：G11C29/44;G11C13/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.01#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于蕴含逻辑的自容错忆阻存储器单元纠错方法，包括如下步骤：步骤一、在对存储器单元进行下一次写操作之前，预读取存储器单元的节点电压并判定失效种类，当预读取结果为写“0”失效时，进入步骤二，当预读取结果为写“1”失效时，进入步骤三；步骤二、将写“0”失效信号作为写“0”失效纠正使能信号传输到单元写入电路，写“0”失效操作为WL端给高电平，DL端给高电平，BL、CL端均给低电平，使得存储器单元状态循环回归正常；步骤三、忽略写“1”失效信号，不作任何处理。本发明能够利用存储器单元自身读取与状态判定的优势，对存储出错的单元进行状态修正。

主权项：1.一种基于蕴含逻辑的自容错忆阻存储器单元纠错方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在对存储器单元进行下一次写操作之前，预读取存储器单元的节点电压并判定失效种类，当预读取结果为写“0”失效时，进入步骤二，当预读取结果为写“1”失效时，进入步骤三；步骤二、将写“0”失效信号作为写“0”失效纠正使能信号传输到单元写入电路，写“0”失效操作为WL端给高电平，DL端给高电平，BL、CL端均给低电平，使得存储器单元状态循环回归正常；步骤三、忽略写“1”失效信号，不作任何处理；所述步骤一中通过一单元值读取及失效判断电路进行存储器单元的节点电压的预读取和失效种类的判定；所述单元值读取及失效判断电路包括第一比较器、第二比较器和第三比较器，所述第一比较器的正输入端连接节点电压输出端，所述第一比较器的负输入端连接第一基准电压输出端，所述第二比较器的正输入端连接第二基准电压输出端，所述第二比较器的负输入端连接节点电压输出端，所述第三比较器的正输入端连接节点电压输出端，所述第三比较器的负输入端连接第三基准电压输出端，所述第一比较器的输出端经一反相器连接到第二比较器的电源端和直接连接到第三比较器的电源端，所述第二比较器的输出端输出写“0”失效信号，所述第三比较器的输出端输出写“1”失效信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 基于蕴含逻辑的自容错忆阻存储器单元纠错方法

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