申请/专利权人：潍坊职业学院

申请日：2023-08-15

公开（公告）日：2023-09-19

公开（公告）号：CN116779634A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/20;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.17#授权;2023.10.10#实质审查的生效;2023.09.19#公开

摘要：本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种高压倒装结构的紫外LED芯片，包括衬底和外延结构，外延结构由下到上依次为ALN缓冲层、N型ALGaN层、有源层、P型ALGaN层和P型GaN层，外延结构上设有隔离槽、N台面、N型接触电极、绝缘层、Ag反射电极、金属保护层、钝化层和焊盘电极。本发明还提供高压倒装结构的紫外LED芯片制作方法。本发明通过Ag反射电极和退火工艺，实现了Ag反射电极与P型GaN层的欧姆接触，并结合绝缘层，实现其在芯片表面的大面积覆盖，以保证对紫外光线的反射，在不制备透明导电层和DBR时，也能提高紫外LED芯片的光提取效率。

主权项：1.一种高压倒装结构的紫外LED芯片，包括衬底和外延结构，所述外延结构由下到上依次设有ALN缓冲层、N型ALGaN层、有源层、P型ALGaN层和P型GaN层，其特征在于，所述外延结构上设有隔离槽、N台面、N型接触电极、绝缘层、Ag反射电极、金属保护层、钝化层和焊盘电极；所述隔离槽贯穿所述外延结构，所述隔离槽包括第一隔离槽和至少一个第二隔离槽，所述第二隔离槽将所述外延结构分为至少两个发光单元；所述N台面贯穿所述P型GaN层、P型ALGaN层和有源层并延伸至所述N型ALGaN层的中部，所述N台面包括第一N台面、第二N台面和第三N台面；所述N型接触电极包括第一N型接触电极和第二N型接触电极，所述第一N型接触电极覆盖在所述第二N台面上，所述第一N型接触电极的形状与所述第二N台面的形状相同，所述第二N型接触电极覆盖在所述第三N台面上，所述第二N型接触电极的形状与所述第三N台面的形状相同；所述绝缘层包括第一绝缘层、电流阻挡层、第二绝缘层、桥接绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层包覆裸露在外的所述N型ALGaN层和所述P型GaN层的边缘；所述Ag反射电极包括第一Ag反射电极、第二Ag反射电极和桥接电极，所述第一Ag反射电极分布在一所述发光单元上，所述第二Ag反射电极分布在另一所述发光单元上，且均与所述第一N型接触电极和所述第二N型接触电极之间留有间隙，所述桥接电极覆盖在所述桥接绝缘层的上方，所述桥接电极的两端分别连接所述第一N型接触电极和所述第二Ag反射电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 潍坊职业学院 一种高压倒装结构的紫外LED芯片及其制作方法

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