申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2023-09-22

公开（公告）号：CN116798857A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;B08B3/12;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要：本发明涉及硅片加工技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片腐蚀污迹的方法，包括药液清洗槽和水洗槽，所述水洗槽包括第一清洗槽和第二清洗槽，所述药液清洗槽包括第三清洗槽和第四清洗槽，提供第一隔板和第二隔板；于所述第一清洗槽和所述第二清洗槽之间设置所述第一隔板；于所述第三清洗槽和所述第四清洗槽之间设置所述第二隔板；本申请通过第一隔板和第二隔板的设置，使得第一清洗槽和第二清洗槽之间相互独立，使得第三清洗槽和第四清洗槽之间相互独立，从而提高了硅片在第一清洗槽或第二清洗槽或第三清洗槽或第四清洗槽中进行清洗的稳定性，提高了清洗效果。

主权项：1.一种改善硅片腐蚀污迹的方法，包括药液清洗槽和水洗槽，所述水洗槽包括第一清洗槽和第二清洗槽，所述药液清洗槽包括第三清洗槽和第四清洗槽，其特征在于：提供第一隔板和第二隔板；于所述第一清洗槽和所述第二清洗槽之间设置所述第一隔板；于所述第三清洗槽和所述第四清洗槽之间设置所述第二隔板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种改善硅片腐蚀污迹的方法

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