申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-07-09

公开（公告）日：2023-09-29

公开（公告）号：CN114783473B

主分类号：G11C7/10

分类号：G11C7/10;G11C29/50;G06F3/06

优先权：["20181130 US 16/205,450"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.29#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本公开涉及ZQ校准时间的缩减。本发明公开一种存储器系统，其包含具有预定阻抗的外部校准装置及具有用于选择性连接到所述外部校准装置的第一垫的第一存储器装置。第一存储器装置还包含具有可编程的阻抗的内部校准装置及连接到所述内部校准装置的第二垫。所述系统进一步包含第二存储器装置，所述第二存储器装置具有用于选择性连接到所述第一存储器装置的所述第二垫的第三垫。处理装置可操作地耦合到所述第一存储器装置及所述第二存储器装置。所述处理装置基于所述外部校准装置对所述第一存储器装置的所述内部校准装置的所述阻抗进行编程，且基于所述第一存储器装置的所述内部校准装置的所述阻抗对所述第二存储器装置中的端接组件的阻抗进行编程。

主权项：1.一种存储器设备，其包括：ZQ电阻器；第一半导体装置，其具有第一ZQ校准电路，所述第一ZQ校准电路包含：第一上拉电路，以及第一下拉电路，其中所述第一上拉电路或所述第一下拉电路中的一者经配置以连接到所述ZQ电阻器；以及第二半导体装置，其具有第二ZQ校准电路，所述第二ZQ校准电路包含：第二上拉电路，以及第二下拉电路，其中所述第二上拉电路或所述第二下拉电路中的一者经配置以连接到所述第一上拉电路或所述第一下拉电路中的另一者；其中所述第二上拉电路或所述第二下拉电路中的所述一者不存取所述ZQ电阻器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 ZQ校准时间的缩减

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