申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117316256A

主分类号：G11C29/50

分类号：G11C29/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种单环、双环存储器器件和ZQ校准方法，单环存储器器件包括：主芯片和多个从芯片，设置有第一传输端和第二传输端；主芯片的第二传输端连接第一级从芯片的第一传输端，每一级从芯片的第二传输端连接下一级从芯片的第一传输端；主芯片设置有第一信号接收器，从芯片设置有第二信号接收器；第一信号接收器用于接收ZQ校准命令，主芯片基于ZQ校准命令开始校准，主芯片完成校准后发送ZQ标志信号；第二信号接收器用于接收ZQ标志信号，从芯片基于ZQ标志信号开始校准，从芯片完成校准后发送ZQ标志信号；本公开实施例通过设计一种新的控制电路，以实现理论上无数量限制的多芯片共享ZQ校准电阻。

主权项：1.一种单环存储器器件，应用于单个校准电阻的存储器器件，其特征在于，包括：主芯片和多个级联的从芯片，所述主芯片和所述从芯片共同连接至同一校准电阻；所述主芯片和所述从芯片设置有第一传输端和第二传输端，所述第一传输端和所述第二传输端用于传输ZQ标志信号；其中，所述主芯片的第二传输端连接第一级所述从芯片的第一传输端，每一级所述从芯片的第二传输端连接下一级所述从芯片的第一传输端；所述主芯片中设置有第一信号接收器，所述从芯片中设置有第二信号接收器；所述第一信号接收器用于通过ZQ信号端接收存储器提供的ZQ校准命令，所述主芯片基于所述ZQ校准命令开始校准，所述主芯片完成校准后通过所述第二传输端发送所述ZQ标志信号，所述ZQ标志信号表征当前芯片已利用所述校准电阻进行校准；所述第二信号接收器用于通过所述第一传输端接收所述ZQ标志信号，所述从芯片基于所述ZQ标志信号开始校准，当前所述从芯片完成校准后通过所述第二传输端发送所述ZQ标志信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 单环、双环存储器器件和ZQ校准方法

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