申请/专利权人：珠海妙存科技有限公司

申请日：2022-09-20

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN115458022B

主分类号：G11C29/02

分类号：G11C29/02;G11C29/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.08#授权;2022.12.27#实质审查的生效;2022.12.09#公开

摘要：本发明提供一种NANDFlashZQ校准方法，其包括在存储控制器内部增加一个可调电阻，将可调电阻通过开关S1切换与存储控制器的ZQ引脚连接，在存储控制器的测试阶段对可调电阻进行校准；在NANDFlashZQ校准阶段，存储控制器内部的可调电阻通过ZQ引脚与NANDFlash的ZQ引脚连接，使可调电阻替换外部独立的校准电阻RZQ，启动NANDFlash协议定义的校准时序，由存储控制器发送命令，完成NANDFlash内部的ZQ校准。本发明用以解决现有技术中存在的测试时需外接参考电阻，BOM成本高，空间占用率高等问题，在应用时可去掉外部的RZQ精准参考电阻，同时兼容支持现有校准方案，从而达到降低BOM成本，增大基板或PCB走线空间的目的。

主权项：1.一种NANDFlashZQ校准方法，其特征在于，该方法包括：在存储控制器内部增加一个可调电阻，将可调电阻通过开关S1切换与存储控制器的ZQ引脚连接，在存储控制器的测试阶段对可调电阻进行校准；在存储控制器的测试阶段，由存储控制器中的CPU模块通过配置第二校准模块输出一控制信号，该控制信号通过调整可调电阻的电阻值，与ZQ引脚连接的第一精度参考电阻一起完成内部可调电阻校准操作；在NANDFlashZQ校准阶段，存储控制器内部的可调电阻通过ZQ引脚与NANDFlash的ZQ引脚连接，使可调电阻替换外部独立的校准电阻RZQ，启动NANDFlash协议定义的校准时序，由存储控制器发送命令，基于ONFI协议时序启动NAND颗粒内部的ZQ校准；在存储控制器的测试阶段，搭建存储控制测试电路，在外部使用开关S2完成第一精度参考电阻和第二精度参考电阻的连接切换；第一校准模块使用第二精度参考电阻完成校准并记录校准结果到非易失存储介质中，此时，开关S1的a端与b端连接，开关S2的a端与c端连接，其中，系统可根据校准结果提供准确的驱动能力与ODT配置；在存储控制器的测试阶段对可调电阻进行校准时，还包括：在存储控制器的ZQ引脚外接一个第一精度参考电阻上拉到VCC，由可调电阻和第一精度参考电阻构成分压电路，通过第二校准模块调节可调电阻的阻值，当ZQ引脚的电压为0.5*VCC时，则说明可调电阻与第一精度参考电阻阻值相等，完成校准，在完成可调电阻校准后，将校准值并记录到非易失存储介质中，此时，开关S1的a端与c端连接，开关S2的a端与b端连接；在完成存储控制器的校准及其他测试后，可去掉第一精度参考电阻、第二精度参考电阻、VCC和GND构成外围电路，存储控制器可直接与NANDFlash构建起储存系统，再根据NANDFlash定义的命令与时序，存储控制器控制对每颗NANDFlash依次完成ZQ校准；其中，所述通过第二校准模块调节可调电阻的阻值，包括：设置电阻调整范围最小值为全0，最大值为全1；基于电阻调整范围设定ctrl[n:0]为中值，通过电压表测量输入电压Vpad，判断电压Vpad是否为0.5*VCC，如是，则校准结束，记录当前的ctrl[n:0]到非易失存储介质；若电压Vpad大于0.5*VCC，则设定当前ctrl[n:0]值为电阻调整范围的最大值；若电压Vpad小于0.5*VCC，则设定当前ctrl[n:0]值为电阻调整范围的最小值；其中，当开关S1断开与可调电阻连接并切换至与第一校准模块连接时，进入原外接精度校准电阻的校准流程；其中，可调电阻校准值的加载与使用包括：从非易失存储介质中读取可调电阻的RZQ_c_i校准值；将该校准值设定到ctrl[n:0]对应的寄存器RZQ_c_i中调整到准确值；基于ONFI协议时序启动NAND颗粒内部的ZQ校准；该方法还执行：为可调电阻构造一组电阻阵列结构，以实现精度符合的可调电阻，其具体包括：设置第一行电阻为R，第二行电阻为两个相同电阻R并联，等效的阻值为R2，从第二行电阻开始每行电阻都对应设有一个可控开关；按以上方式构造的电阻阵列最后一行的等效电阻为R2n，代表可支持的电阻调整精度，其中，该电阻阵列支持的调整范围的最小值是R，最大值是2R-R2n；对电阻阵列结构进行校准，包括：确认基准电阻值，在IC的CP测试阶段，构造CP测试电路，向PAD输入电压U0，并测量到输入的电流I0，则计算得到基准电阻值为R0＝U0I0；根据实际的基准电阻R0，通过ctrl[n-1:0]可获得协议要求的可调电阻；得到可调电阻的目标阻值，ctrl[n-1:0]对应取计算值，将该计算值取整后转换为二进制数据，与ctrl[n-1:0]对应；将ctrl[n-1:0]取值记录到非易失存储介质中备用。

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权利要求：

百度查询： 珠海妙存科技有限公司 一种NANDFlash ZQ校准方法

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