申请/专利权人：中国科学院电工研究所

申请日：2023-08-04

公开（公告）日：2023-10-03

公开（公告）号：CN116845596A

主分类号：H01R4/68

分类号：H01R4/68;H01R43/02;H01R43/00;H01F6/06;H01F41/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.24#实质审查的生效;2023.10.03#公开

摘要：本发明提供一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头及其制备方法，属于超导领域，从上到下分别为NbTi丝、Nb3Sn超导块、Nb过渡层和NbTi超导丝。所述的Nb3Sn超导块通过高温烧结得到。所述的Nb过渡层由纳米Nb粉成型后与Nb3Sn块体复合得到。NbTi超导丝通过脉冲储能焊接方法通过Nb与Nb3Sn块焊接在一起。本发明通过耐高磁场的Nb3Sn作为中间媒介，Nb3Sn块材可批量化制备，制备的NbTi接头具有耐磁场能力强，接头电阻极低的优点。

主权项：1.一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头，其特征在于，所述耐磁场超低电阻NbTi接头由从上到下分别为第一NbTi超导丝、第一Nb过渡层、Nb3Sn超导块、第二Nb过渡层和第二NbTi超导丝；所述的Nb3Sn超导块由微米级Nb粉、Sn粉高温烧结得到；所述第一Nb过渡层、第二Nb过渡层由纳米Nb粉压力成型后与Nb3Sn同步烧结得到。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院电工研究所 一种耐磁场超低电阻NbTi超导接头及其制备方法

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