申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117634202A

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;G06F119/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明提供了一种FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法，涉及半导体器件技术领域。其中，FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法，通过将预先建立的二维器件结构模型导入到sdevice指令文件，生成第一sdevice指令文件，并以该第一sdevice指令文件为基础进行Trap添加、NBTI仿真物理模型添加以及总剂量辐射效应设置处理，最终得到NBTI与总剂量耦合效应的仿真结果，实现了总剂量辐射效应和器件自身可靠性的关联性研究，提高了器件在仿真验证中的可靠性和灵活性。

主权项：1.一种FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法，其特征在于，包括：利用sdevice指令文件中的调用指令调用预先建立的二维器件结构模型，生成第一sdevice指令文件；在所述第一sdevice指令文件中添加Trap和NBTI仿真物理模型，得到第二sdevice指令文件；在所述第二sdevice指令文件中进行总剂量辐射效应设置，得到第三sdevice指令文件；将所述第三sdevice指令文件添加到仿真工程文件夹中，并利用准静态扫描以及预先建立的第一sdevice组件对所述第三sdevice指令文件进行瞬时仿真，得到瞬时仿真状态信息并保存在第一tdr文件中；由预先建立的第二sdevice组件加载所述第一tdr文件并仿真得到第二tdr文件；在所述第二tdr文件中选中需要观察的数据，得到plt文件；在Svisual组件下打开所述plt文件，获取得到NBTI与总剂量耦合效应的仿真结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法

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