申请/专利权人：阿托梅拉公司

申请日：2018-08-17

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN111247640B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/762;H01L29/10;H01L29/15

优先权：["20170818 US 62/547,417"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.03#授权;2020.06.30#实质审查的生效;2020.06.05#公开

摘要：半导体器件可以包括半导体基板以及其中的第一和第二间隔开的浅沟槽隔离STI区域，以及在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸的超晶格。超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括第一半导体纵梁和在超晶格上方的栅极，该第一半导体纵梁在超晶格的第一端与第一STI区域之间的界面处包括非单晶主体。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体基板以及其中的间隔开的第一和第二浅沟槽隔离STI区域；超晶格，在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸，超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；第一半导体纵梁，包括在超晶格的第一端与第一STI区域之间的界面处的非单晶主体；第二半导体纵梁，该第二半导体纵梁与超晶格的第二端与第二STI区域之间的界面相邻；以及超晶格上方的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿托梅拉公司 包括与超晶格STI界面相邻的非单晶纵梁的半导体器件和方法

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