申请/专利权人：安徽大学

申请日：2023-08-25

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117042472A

主分类号：H10K30/10

分类号：H10K30/10;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种新型超薄In2Se3铁电材料以及包含该材料的钙钛矿太阳能电池的制备方法；该In2Se3铁电材料为直径为10～500nm、厚度为1～20nm的纳米片，由其形成一层薄膜用作钙钛矿太阳能电池的界面修饰层，这种新型超薄二维In2Se3铁电材料，经外加电场极化处理后形成额外的极化电场，该极化电场与器件内建电场方向一致。因此，In2Se3界面修饰层可以增强钙钛矿太阳能电池器件的内建电场，增大吸光层对光生载流子的提取与传输速率，减少界面电荷累积，从而提升器件的开路电压和光电转换效率，同时，In2Se3具有一定疏水性，对钙钛矿上表面进行修饰后，抑制器件吸光层的分解和相变，获得长期稳定高效的钙钛矿太阳能电池。

主权项：1.一种新型超薄In2Se3铁电材料的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：称取一定量的四丁基四氟硼酸铵和α-In2Se3粉末放入试剂瓶中，再加入N,N-二甲基甲酰胺溶剂；将试剂瓶用封口膜密封后放入数控超声清洗器中，持续超声，得到灰色的In2Se3纳米片悬浊液；将超声得到的In2Se3纳米片悬浊液转移至离心机中进行离心，得到茶色透明的超薄二维α-In2Se3分散液，再将所得分散液置于离心机中，离心后收集底部沉淀物，即是α-In2Se3纳米片；使用无水乙醇将收集的α-In2Se3纳米片分散和离心，最后放入真空烘箱中进行干燥，即可得到纯净的α-In2Se3纳米片；所述In2Se3铁电材料为直径为10～500nm、厚度为1～20nm的纳米片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 一种超薄铁电料制备方法及钙钛矿太阳能电池

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