申请/专利权人:广东致能科技有限公司
申请日:2023-05-25
公开(公告)日:2023-12-01
公开(公告)号:CN220121840U
主分类号:H01L23/538
分类号:H01L23/538;H01L25/18;H01L23/64;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/373
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.12.01#授权
摘要:本实用新型涉及一种半导体器件、Cascode器件及驱动合封功率器件,所述半导体器件包括第一管芯、第二管芯和封装体,所述第一管芯包括第一区域和第二区域,所述第一区域为所述第一管芯的功能区;所述第二管芯位于所述第二区域的上方,所述第一管芯与所述第二管芯通过第一导电层电连接;封装体在其内部封装所述第一管芯和所述第二管芯。所述Cascode器件包括耗尽型GaN管芯和增强型MOSFET管芯。驱动合封功率器件包括GaN管芯和控制管芯。本实用新型提供的半导体器件既减小了封装尺寸,也减小了因增加额外材料及引线而引起的寄生参数,且整体器件的散热特性好。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:第一管芯,其包括第一区域和第二区域,所述第一区域为所述第一管芯的功能区;第二管芯,所述第二管芯位于所述第二区域的上方,所述第一管芯与所述第二管芯通过第一导电层电连接;以及封装体,在其内部封装所述第一管芯和所述第二管芯。
全文数据:
权利要求:
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