申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117334734A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明公开了一种具有渐变背势垒缓冲层InAlNGaN高电子迁移率晶体管，从下至上依次包括：衬底01、成核层02、高阻层03、渐变组分有意掺杂层04、非有意掺杂高迁移率层05、非有意掺杂铟铝氮势垒层06以及非有意掺杂盖帽层07；所述渐变组分有意掺杂层04的材料为AlxGa1‑xN，0≤x≤0.20，x的值沿生长方向向上由0.2线性降低至0；所述非有意掺杂高迁移率层05的材料为氮化镓；所述非有意掺杂铟铝氮势垒层06的材料为InyAl1‑yN，0.15≤y≤0.20。采用渐变组分有意掺杂层04与超薄的非有意掺杂铟铝氮势垒层相结合的方法，缓解了氮化镓基高电子迁移率晶体管在高频下的短沟道效应问题。

主权项：1.一种具有渐变背势垒缓冲层InAlNGaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，从下至上依次包括：衬底01、成核层02、高阻层03、渐变组分有意掺杂层04、非有意掺杂高迁移率层05、非有意掺杂铟铝氮势垒层06以及非有意掺杂盖帽层07；所述渐变组分有意掺杂层04的材料为AlxGa1-xN，0≤x≤0.20，x的值沿生长方向向上由0.2线性降低至0；所述非有意掺杂高迁移率层05的材料为氮化镓；所述非有意掺杂铟铝氮势垒层06的材料为InyAl1-yN，0.15≤y≤0.20。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法

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