申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
申请日:2023-12-01
公开(公告)日:2024-01-02
公开(公告)号:CN117334746A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/417;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开
摘要:本发明提供一种具有氧化层的源极沟槽集成SBD超结SiCMOS及制备方法,该超结SiCMOS包括:肖特基金属和氧化层;所述肖特基金属位于N‑drift层和源极之间;所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极邻接;所述氧化层位于所述肖特基金属下方并与P柱和衬底邻接。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁,肖特基二极管的开启电压远小于体二极管,在超结SiCMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启,在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用,显著地提高了超结SiCMOS的反向能力,并且在源极沟槽下方设置了氧化层用于避免沟槽底部漏电,还能够改善电场分布,防止电场线集中损毁超结SiCMOS,显著地提高了超结SiCMOS的电气性能。
主权项:1.一种具有氧化层的源极沟槽集成SBD超结SiCMOS,其特征在于,包括:肖特基金属和氧化层;所述肖特基金属位于N-drift层和源极之间;所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极邻接;所述氧化层位于所述肖特基金属下方并与P柱和衬底邻接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳天狼芯半导体有限公司 一种具有氧化层的源极沟槽集成SBD超结SiC MOS及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。