申请/专利权人：电子科技大学长三角研究院(湖州)

申请日：2023-11-24

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117383935A

主分类号：C04B35/491

分类号：C04B35/491

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明属于PZT压电陶瓷材料技术领域，公开了基于晶粒结构优化的高性能PZT压电陶瓷材料及其制备方法，基本组分是PZT和Sb2O3或MnO2。Sb2O3的含量在0.6～0.8wt％时陶瓷晶面最完整，最致密；Sb2O3在PZT钙钛矿晶格中的固溶度约为0.6wt％；掺锰0.5wt％的PZT可于1200℃烧结成致密陶瓷，体积密度达7.8g·cm‑3。适量的Sb2O3促进了体系中三方‑四方相转变，并显著提高陶瓷的压电性能。本发明揭示锰掺杂改性的微观机制，并获得满足多层压电陶瓷变压器需要的低烧高性能压电材料。

主权项：1.一种基于晶粒结构优化的高性能PZT压电陶瓷材料，其特征在于，所述基于晶粒结构优化的高性能PZT压电陶瓷材料的组分包括PZT和Sb2O3或MnO2。

全文数据：

权利要求：

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