申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN117406318A

主分类号：G02B5/18

分类号：G02B5/18;G02B27/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本公开提供了一种相位型准随机孔阵列叉形光栅及其制备方法，包括：提供一基板；根据待射光源的波长和预设相位差确定待制备的孔结构的深度；在所述基板的表面制备具有所述深度的多个所述孔结构，以形成准随机孔阵列叉形光栅，使所述准随机孔阵列叉形光栅具备正弦叉形光栅的特性。本公开与传统半导体工艺兼容，制造工艺简单，利用准随机孔阵列结构的刻蚀实现正弦叉形光栅的特性，使制备出的叉形光栅具有抑制高级衍射的特性，同时根据需要制作不同高度和周期的相位型准随机孔阵列叉形光栅，消去零级衍射，得到清晰的正负一级衍射图像，减少读数误差，可以更好地分析涡旋光特性。

主权项：1.一种相位型准随机孔阵列叉形光栅的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板；根据待射光源的波长和预设相位差确定待制备的孔结构的深度；在所述基板的表面制备具有所述深度的多个所述孔结构，以形成准随机孔阵列叉形光栅，使所述准随机孔阵列叉形光栅具备正弦叉形光栅的特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种相位型准随机孔阵列叉形光栅及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD