申请/专利权人：恩智浦有限公司

申请日：2023-06-19

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN117423618A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/737;H01L29/06

优先权：["20220719 US 17/813,504"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.19#公开

摘要：一种半导体装置，例如异质结双极晶体管HBT，可包括非本征基极区，所述非本征基极区通过形成于插入在所述非本征基极区与所述集电极区之间的一个或多个电介质层中的开口中的半导体材料连接到集电极区。所述非本征基极区可通过选择性外延生长由例如硅或硅锗之类的单晶半导体材料形成。本征基极区可邻近于所述非本征基极区形成，并且可直接插入在所述集电极区与本征发射极区之间。与一些常规HBT相比，具有这种布置的HBT可具有减小的基极‑集电极电容和减小的基极电阻。

主权项：1.一种方法，其特征在于，包括：在晶体管装置的包括隔离区和集电极区的衬底上方形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成开口以暴露所述集电极区的上表面的一部分；在所述第一电介质层上方并且在所述开口中形成单晶半导体层；在所述单晶半导体层上方形成第二电介质层和第三电介质层；去除所述单晶半导体层的第一部分和所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层的部分，其中在去除所述第一部分之前所述第一部分与所述集电极区重叠，其中所述晶体管装置的非本征基极区包括所述单晶半导体层的第二部分；通过在所述集电极区上方形成第一半导体材料而形成所述晶体管装置的本征基极区；以及通过在所述本征基极区和所述非本征基极区的一部分上方形成第二半导体材料而形成所述晶体管装置的发射极区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦有限公司 具有非本征基极区的半导体装置及其制造方法

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