申请/专利权人：北京核力同创科技有限公司

申请日：2022-12-01

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN116072530B

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/263;H01L21/324;H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.19#授权;2023.05.23#实质审查的生效;2023.05.05#公开

摘要：本发明公开了一种FS‑IGBT背面电极的制备方法，所述方法包括，对正面工艺完成的硅片的背面减薄、抛光和区注入后进行退火得到带有区集电极的硅片；将所述带有区集电极的硅片进行质子辐照得到带有质子辐照的硅片；将带有区集电极和质子辐照的硅片的表面镀金属和烘烤完成FS‑IGBT背面电极的制备。本发明缓冲层形成方式可仅通过调整降能片组合既能实现缓冲层宽度灵活调节，对高温退火的依赖性不高。本发明的缓冲层所用的质子辐照工艺可实现批量化生产，提升晶圆制造效率；退火时间小于60min，降低晶圆制造时间成本；质子辐照后退火与后续工艺道次中被背面金属化最后的高温烘烤工艺可合并完成，具有较高工艺兼容性，进一步降低晶圆制造成本、提高效率。

主权项：1.一种FS-IGBT背面电极的制备方法，其特征在于，包括，对正面工艺完成的硅片的背面减薄、抛光和区注入后进行退火得到带有区集电极的硅片；将所述带有区集电极的硅片进行质子辐照得到带有质子辐照的硅片；将带有区集电极和质子辐照的硅片的表面镀金属和烘烤完成FS-IGBT背面电极的制备；所述质子辐照的影响区域的宽度根据降能片厚度调节，所述质子辐照的影响区域的宽度为5-50μm；所述质子辐照参数包括，质子束流能量为6-12MeV，辐射剂量为1×1013-1×1015cm2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京核力同创科技有限公司 一种FS-IGBT背面电极的制备方法

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