申请/专利权人：芜湖麦可威电磁科技有限公司

申请日：2021-05-18

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN113225050B

主分类号：H03K3/3565

分类号：H03K3/3565

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开

摘要：本发明公开了一种基于GaAsHEMT工艺的施密特触发器，包括场效应晶体管fet1、fet2、fet3、fet4，输入端IN与电阻R1连接，电阻R另一端依次串接电阻R2、R3后连接电源负端VSS，电阻R1与电阻R2之间引出端子连接fet1的栅极，fet1的漏极经电阻R4连接电源正端VDD；电源正端经电阻R5连接fet3的漏极、经电阻R6连接fet4的漏极；fet1的源极、fet2的源极、fet3的源极、fet4的源极连接电源负极VSS；fet1的漏极连接fet3的栅极；fet3的漏极连接fet4的栅极fet1的漏极引出端子连接至fet2的栅极，fet2的漏极连接在R3、R2之间；在fet3的漏极引出端子连接至输出同相端OUTP；在fet4的漏极引出端子连接至输出反相端OUTN。本发明方案具有开关速度快、传输延迟小、抗干扰、输出电压在较宽范围内连续可调等优点。

主权项：1.一种基于GaAsHEMT工艺的施密特触发器，其特征在于：包括场效应晶体管fet1、fet2、fet3、fet4，输入端IN与电阻R1连接，电阻R1另一端依次串接电阻R2、R3后连接电源负端VSS，电阻R1与电阻R2之间引出端子连接fet1的栅极，fet1的漏极经电阻R4连接电源正端VDD；电源正端VDD经电阻R5连接fet3的漏极，电源正端VDD经电阻R6连接fet4的漏极；fet1的源极、fet2的源极、fet3的源极、fet4的源极连接电源负极VSS；fet1的漏极连接fet3的栅极；fet3的漏极连接fet4的栅极，fet1的漏极引出端子连接至fet2的栅极，fet2的漏极连接在电阻R3、电阻R2之间；在fet3的漏极引出端子连接至输出同相端OUTP；在fet4的漏极引出端子连接至输出反相端OUTN。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芜湖麦可威电磁科技有限公司 一种基于GaAs HEMT工艺的施密特触发器

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