申请/专利权人：中证博芯(重庆)半导体有限公司

申请日：2019-10-17

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN110718584B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2020.02.21#实质审查的生效;2020.01.21#公开

摘要：本发明公开了基于GaN或GaAs的MIS‑HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；位于所述衬底上的未掺杂的GaN或GaAs层；位于所述GaN或GaAs层上的AlGaN或AlGaAs势垒层；位于所述AlGaN或AlGaAs势垒层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括氧化铝和氧化镓，其中氧化铝占90％～99％；位于所述AlGaN或AlGaAs势垒层上且穿过所述栅绝缘层的源极和漏极；位于所述栅绝缘层上的栅极。本发明不但能够有效降低器件的漏电流，还简化了MIS‑HEMT制备流程。

主权项：1.基于GaN的MIS-HEMT器件，其特征在于，包括：底部的第一衬底；位于所述第一衬底上的未掺杂的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上的第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层为金属氧化层，包括氧化铝和氧化镓，其中氧化铝占90％～99％；位于所述AlGaN势垒层上且穿过所述第一栅绝缘层的源极和漏极；位于所述第一栅绝缘层上的栅极；其中，所述第一栅绝缘层的制备方式包括：在所述AlGaN势垒层上沉积2～5nm的高浓度Al掺杂的AlxGa1-xN单晶薄膜，其中x范围为0.9～0.99，然后氧化所述高浓度Al掺杂的AlxGa1-xN单晶薄膜，即获得所述第一栅绝缘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中证博芯(重庆)半导体有限公司 基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD