申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2023-06-21

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN116504716B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.26#授权;2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体顶层金属的OPC修补方法，包括：在衬底上形成顶层金属图案，顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在第一金属线的直角弯内角方向的设定范围区域内，与第一金属线平行或垂直的第二金属线；以第一金属线的直角弯内角顶点为原点，取半径为R的圆形区域与第一金属线的直角弯内角区域的重叠部分形成扇形区域；根据扇形区域内第一金属线与第二金属线的最小间距，在第一金属线的直角弯内角处修补目标金属，目标金属的形状是直角边长为H的等边直角三角形。本申请能够有效预防内角区域钝化层直角太直而导致的开裂现象，提高钝化层里面金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。

主权项：1.一种半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，包括：在衬底上形成顶层金属图案，所述顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在所述第一金属线的直角弯的内角方向与所述第一金属线平行或垂直的第二金属线；以所述第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，取预设半径值为R的圆形区域与所述第一金属线的直角弯的内角区域的重叠部分形成扇形区域，其中，预设所述第一金属线以及所述第二金属线的最小线宽为W，则所述预设半径值R=2W；判断所述扇形区域内是否存在所述第二金属线；当所述扇形区域内存在所述第二金属线时，根据所述扇形区域内所述第一金属线与所述第二金属线的最小间距a，得到所述原点与所述第二金属线的最小距离A为a，在所述第一金属线的直角弯的内角处修补第一目标金属，设定所述第一目标金属至所述第二金属线的最小间距为所述a，则所述第一目标金属的形状是直角边长为H1的等边直角三角形，所述H1=（a－a）≈0.586a；在所述第一金属线以及所述第一目标金属上沉积钝化层。

全文数据：

权利要求：

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