申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855039A

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213;H01L21/033;G03F1/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种OPC修正方法，并具体提出了一种在OPC修正方法中改善掩膜版上金属层的线条图形修正结果的新型转角结构，并基于该新型转角结构提出了一种在金属层上的具有凸角转角的线条图形的OPC修正过程中，直接将掩膜版上的线条图形的凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成不易发生转角圆化效应的其他形状的OPC修正方法，从而实现了有效降低位于金属层上的具有凸角转角的线条图形发生转角圆化效应的概率，即保证了利用该修正后的掩膜版在实际硅片上所形成的金属线结构符合设计要求，同时增大了该形成的位于上下层的金属层结构和通孔层结构的叠对面积以及提高了半导体器件的产品良率。

主权项：1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：获取掩膜版上的多个原始图形，其中，所述原始图形为用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形；对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正和光刻仿真，以得到每个所述原始图形的第一仿真图形；确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种OPC修正方法

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