申请/专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2023-09-04

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN117476753A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及GOA电路，包括：栅极；第一绝缘层，第一绝缘层设于栅极上；半导体层，半导体层覆盖于第一绝缘层上；以及漏极和源极，漏极和源极均位于半导体层远离第一绝缘层的一侧，漏极和源极之间具有沟道；其中，栅极具有第一镂空部分，漏极具有第二镂空部分，半导体层具有第三镂空部分。本申请提供的薄膜晶体管在栅极、漏极和半导体层上开设镂空部分，使得晶体管中的栅极和漏极之间的正对面积减小，从而降低因边缘场而产生的寄生电容，进而减少GOA驱动电路输出信号发生变形，提高液晶显示屏的显示效果。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极10；第一绝缘层11，所述第一绝缘层11设于所述栅极10上；半导体层12，所述半导体层12覆盖于所述第一绝缘层11上；以及漏极13和源极14，所述漏极13和所述源极14均位于所述半导体层12远离所述第一绝缘层11的一侧，所述漏极13和所述源极14之间具有沟道；其中，所述栅极10具有第一镂空部分18，所述漏极13具有第二镂空部分17，所述半导体层12具有第三镂空部分16。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及GOA电路

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