申请/专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117497550A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L27/148

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明公开了一种EMCCD纵向抗光晕结构工艺实现方法，信号电荷在三面被PStop区域隔离的沟阻结构PD像元内可以有效积分，像元制作在P阱的内部；像元纵向抗晕结构考虑PD、鞍形p阱、N型衬底之间形成的有效电荷信号释放通路；同时考虑鞍形p阱对寄存器单元及放大器单元的影响，在VAB区域外形成浓度分布均匀的P型区，采用高能离子注入及长时间高温推阱的方式制作鞍形p阱；根据设计要求，通工艺仿真，同时结合工艺实验，来确定P阱的注入能量和剂量。本发明信号有利于抗晕结构的制作，同时也提高信号电荷转移速度。本发明同时满足纵向抗晕效果，器件制造过程将采用三次离子注入及高温推阱的方式来制造鞍形p阱。

主权项：1.一种EMCCD纵向抗光晕结构工艺实现方法，其特征在于，包括：S1、信号电荷在三面被PStop区域隔离的沟阻结构PD像元内可以有效积分，像元制作在P阱的内部，S2、像元纵向抗晕结构考虑PD、鞍形p阱、N型衬底之间形成的有效电荷信号释放通路；S3、同时考虑鞍形p阱对寄存器单元及放大器单元的影响，在VAB区域外形成浓度分布均匀的P型区，采用高能离子注入及长时间高温推阱的方式制作鞍形p阱；S4、根据设计要求，通工艺仿真，同时结合工艺实验，来确定P阱的注入能量和剂量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种EMCCD纵向抗光晕结构工艺实现方法

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