申请/专利权人：东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117492317A

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36;G03F1/72;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明涉及半导体计算光刻技术领域，特别涉及一种解决SRAF额外刻出的方法、系统及计算机介质，本发明提供的解决SRAF额外刻出的方法包括以下步骤：获取经过OPC修正后的掩模版图和加入的SRAF的信息，并通过仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过光刻规则检测得到所述空间像和所述曝光轮廓结果中的缺陷信息；基于所述缺陷信息，分析所述缺陷与所述SRAF的位置关系，确定目标SRAF，获取所述目标SRAF的图形属性并标记所述目标SRAF；对所述目标SRAF进行优化操作；通过光刻规则检测，自动化识别并处理目标SRAF，消除SRAF额外刻出带来的缺陷；本发明还提供一种解决SRAF额外刻出的系统及计算机介质。

主权项：1.一种解决SRAF额外刻出的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1，获取经过OPC修正后的掩模版图和加入的SRAF的信息，并通过仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过光刻规则检测得到所述空间像和所述曝光轮廓结果中的缺陷信息；步骤S2，基于所述缺陷信息，分析所述缺陷与所述SRAF的位置关系，确定目标SRAF，获取所述目标SRAF的图形属性并标记所述目标SRAF；步骤S3，对所述目标SRAF进行优化操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 一种解决SRAF额外刻出的方法、系统及计算机介质

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