申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117518730A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明涉及OPC技术领域，提供接触层OPC热点修补方法和装置。接触层OPC热点修补方法包括：确定接触层的初始OPC图形中通孔面积小于面积规格的面积热点OPC图形；获得初始OPC图形中通孔间距小于第一间距规格的第一标记图形和通孔与多晶硅层间距小于第二间距规格的第二标记图形；确定面积热点OPC图形中不与第一标记图形和第二标记图形接触的边，作为待修补图形边；将待修补图形边外扩若干个图形格点，获得面积修补图形。采用本发明，能够有效检测出工艺窗口偏小的通孔图形进行修补，且在修补过程中能够有效解决已有热点，避免新热点产生，修补完成的OPC图形应用到光刻工艺中能够确保实际工艺窗口符合规格。

主权项：1.一种接触层OPC热点修补方法，其特征在于，包括：确定接触层的初始OPC图形中通孔面积小于面积规格的面积热点OPC图形；获得所述初始OPC图形中通孔间距小于第一间距规格的第一标记图形和通孔与多晶硅层间距小于第二间距规格的第二标记图形；确定所述面积热点OPC图形中不与所述第一标记图形和所述第二标记图形接触的边，作为待修补图形边；将所述待修补图形边外扩若干个图形格点，获得面积修补图形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 接触层OPC热点修补方法和装置

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