申请/专利权人：广东工业大学

申请日：2024-02-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117891143A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G03F1/70;G03F1/84

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，该方法包括以下步骤：根据芯片2D版图中的电路模块，划分出多个正交多边形，其中，基于预设分解方法对所述正交多边形进行矩形分解；根据芯片2D版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个匹配区域；确定待匹配芯片2D版图中的精确区域，以及由所述精确区域延伸出的模糊区域；基于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所述正交多边形与所述精确区域和或所述模糊区域进行匹配判断，得到光刻热点检测结果。本发明提高了光刻热点检测的判断速度和匹配效率。

主权项：1.一种基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：根据芯片2D版图中的电路模块，划分出多个正交多边形，其中，基于预设分解方法对所述正交多边形进行矩形分解；根据芯片2D版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个匹配区域；确定待匹配芯片2D版图中的精确区域，以及由所述精确区域延伸出的模糊区域；基于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所述正交多边形与所述精确区域和或所述模糊区域进行匹配判断，得到光刻热点检测结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东工业大学 基于2D重叠判断的光刻热点检测方法

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