申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-14

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894719A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L23/544;G03F7/16

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本公开涉及一种晶圆加热装置、套刻标记及装置控制方法，晶圆加热装置包括加热盘和控制器，加热盘的加热面包括同对称中心设置的圆形加热区域，以及沿背离对称中心的方向依次排布的至少三个环形加热区域；控制器与加热盘相连，被配置为：获取晶圆在光阻涂布后的位置‑光阻厚度变化关系及光阻厚度‑加热温度关联关系；根据位置‑光阻厚度变化关系、光阻厚度‑加热温度关联关系确定至少四个加热区域分别对应的目标区域加热温度；控制至少四个加热区域分别以各自对应的目标区域加热温度执行提高套刻精度的加热步骤。可以减小套刻标记形貌对称性表征量，提高量测精度，提高半导体器件的良率及整体性能。

主权项：1.一种晶圆加热装置，其特征在于，包括：加热盘，至少用于对其上承载的晶圆在光阻涂布后及曝光前，执行用于提高套刻精度的加热步骤；其中，所述加热盘的加热面包括同对称中心设置的至少四个加热区域；所述至少四个加热区域包括圆形加热区域，以及沿背离所述对称中心的方向依次排布的至少三个环形加热区域；沿所述加热盘的径向相邻的加热区域无交叠的加热面积；控制器，与所述加热盘相连，被配置为：获取所述晶圆在光阻涂布后的位置-光阻厚度变化关系及光阻厚度-加热温度关联关系；所述位置-光阻厚度变化关系包括在所述加热盘的直径方向上不同位置与对应光阻厚度之间的关联关系；所述光阻厚度-加热温度关联关系包括不同加热区域内光阻厚度对应的目标区域加热温度，不同加热区域在所述曝光前以对应的目标区域加热温度进行加热后光阻的形貌对称性表征量相等；根据所述位置-光阻厚度变化关系、所述光阻厚度-加热温度关联关系确定所述至少四个加热区域分别对应的目标区域加热温度；控制所述至少四个加热区域分别以各自对应的目标区域加热温度执行所述提高套刻精度的加热步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 晶圆加热装置、套刻标记及装置控制方法

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