申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-09-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112201645B

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G03F7/20;G03F9/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：本申请提供一种套刻标识、晶圆的套刻误差测量方法及晶圆的堆叠方法。该套刻标识包括第一制层上的第一套刻标识以及第二制层上的第二套刻标识，第一制层与第二制层层叠设置，其中，第一套刻标识包括至少一个第一套刻标记，第一套刻标记为圆形；第二套刻标识包括第二套刻标记，第二套刻标记为包括多个直线型图形的中心对称图形。该套刻标识中的第一套刻标识能够设计在需要进行开孔制程的制层上，以基于该套刻标识对需要进行开孔制程的制层的套刻误差进行测量。

主权项：1.一种套刻标识，其特征在于，包括第一制层上的第一套刻标识以及第二制层上的第二套刻标识，所述第一制层与所述第二制层层叠设置，其中，所述第一套刻标识包括至少一个第一套刻标记，所述第一套刻标记为圆形；所述第二套刻标识包括第二套刻标记，所述第二套刻标记为包括多个直线型图形的中心对称图形；所述第一套刻标识用于测量需要进行圆形开孔制程的晶圆的套刻误差，且形成所述圆形开孔制程的同时在所述圆形开孔填充导电材料形成所述第一套刻标识；所述第一套刻标识为设置在所述第一制层上用于电连接所述第一制层和所述第二制层的至少一个导电孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 套刻标识、晶圆的套刻误差测量方法及晶圆的堆叠方法

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