申请/专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN220476237U

主分类号：H10B43/20

分类号：H10B43/20;H10B43/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.09#授权

摘要：本公开涉及NOR型存储器件。该NOR型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源漏接触层被分别连接到两个位线源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。本公开如上所述地提出了一种新型的竖直堆叠的NOR型存储器件结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单、制造工艺简单易行。

主权项：1.一种NOR型存储器件，其特征在于，包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源漏接触层被分别连接到两个位线源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 兆易创新科技集团股份有限公司 NOR型存储器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD