申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117596882A

主分类号：H10B41/41

分类号：H10B41/41;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/35;H10B43/40;H10B41/35;G11C16/04

优先权：["20220812 US 17/819,538"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：本申请案涉及包含堆叠的电子装置以及相关系统及方法。所述电子装置包括：堆叠，其包括布置成层级的导电结构及绝缘结构的交替序列；及至少一个电介质填充狭槽，其竖直延伸穿过所述堆叠且在第一水平方向上延伸。所述至少一个电介质填充狭槽界定于所述堆叠的两个内侧壁之间。所述电子装置包括：额外电介质填充狭槽，其竖直延伸穿过所述堆叠且在横向于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；及隔离结构，其横向插入于所述至少一个电介质填充狭槽与所述额外电介质填充狭槽之间。所述隔离结构横向邻近于所述堆叠的所述导电结构，且所述隔离结构中的至少一些竖直邻近于所述堆叠的所述绝缘结构。

主权项：1.一种电子装置，其包括：堆叠，其包括布置成层级的导电结构及绝缘结构的交替序列；至少一个电介质填充狭槽，其竖直延伸穿过所述堆叠且在第一水平方向上延伸，所述至少一个电介质填充狭槽界定于所述堆叠的两个内侧壁之间；额外电介质填充狭槽，其竖直延伸穿过所述堆叠且在横向于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；及隔离结构，其横向插入于所述至少一个电介质填充狭槽与所述额外电介质填充狭槽之间，所述隔离结构横向邻近于所述堆叠的所述导电结构，且所述隔离结构中的至少一些竖直邻近于所述堆叠的所述绝缘结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包含包括由狭槽结构隔离的导电结构的堆叠的电子装置以及相关系统及方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD