申请/专利权人：苏州汉天下电子有限公司

申请日：2020-09-27

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN112087217B

主分类号：H03H9/17

分类号：H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.23#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要：一种Q值提升的FBAR谐振器制造方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成压电层，具有第一厚度；平坦化压电层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀压电层直至暴露下电极；在下电极和压电层上形成第二压电层；在第二压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在沉积第二压电层前形成了底电极和压电层共面的完整平坦平面，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。

主权项：1.一种Q值提升的FBAR谐振器制造方法，包括：在衬底上形成具有垂直侧壁的下电极；在下电极和衬底上形成覆盖所述垂直侧壁的压电层，具有第一厚度；平坦化压电层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀压电层直至暴露下电极，所述压电层在所述垂直侧壁处与所述下电极接触且顶部齐平；在压电层上形成第二下电极；在第二下电极上形成第二压电层，具有第三厚度；平坦化第二压电层以将第三厚度减小为第四厚度；刻蚀第二压电层直至暴露第二下电极；在第二下电极和第二压电层上形成第三压电层；在第三压电层上形成上电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州汉天下电子有限公司 Q值提升的FBAR谐振器制造方法

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