申请/专利权人：唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691966A

主分类号：H03H9/54

分类号：H03H9/54;H03H3/02;H03H9/10;H03H9/05;H03H9/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明提供了一种FBAR滤波器及其制造方法，提供一基底结构，其包括支撑台以及位于支撑台的第一表面上的第一支撑柱和第二支撑柱，在支撑台上形成底电极，底电极还延伸覆盖第一支撑柱，在压电层上形成顶电极，顶电极还延伸覆盖第二支撑柱，从而便于底电极和顶电极的形成，以及两者之间的相隔离。进一步的，在支撑台中形成第一开口，第一开口贯穿支撑台，在第二表面形成第一封堵层以封闭第一开口而形成第一空腔，在第一支撑柱和第二支撑柱上形成第二封堵层以封闭第一支撑柱和第二支撑柱之间的间隔而形成第二空腔，从而能够可靠地形成空腔，便于底电极和顶电极的悬空。由此，方便、可靠地制备出FBAR滤波器。

主权项：1.一种FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述FBAR滤波器的制造方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括支撑台以及位于所述支撑台的第一表面上的第一支撑柱和第二支撑柱；在所述支撑台上形成底电极，所述底电极还延伸覆盖所述第一支撑柱；形成压电层，所述压电层覆盖所述支撑台上的所述底电极；在所述压电层上形成顶电极，所述顶电极还延伸覆盖所述第二支撑柱；在所述支撑台中形成第一开口，所述第一开口自所述支撑台的第二表面延伸至所述第一表面，所述第二表面和所述第一表面相对；在所述第二表面形成第一封堵层以封闭所述第一开口而形成第一空腔；以及，在所述第一支撑柱和所述第二支撑柱上形成第二封堵层以封闭所述第一支撑柱和所述第二支撑柱之间的间隔而形成第二空腔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 FBAR滤波器及其制造方法

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