申请/专利权人：苏州汉天下电子有限公司

申请日：2020-09-27

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN112071975B

主分类号：H10N30/082

分类号：H10N30/082;H10N30/076

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀介质层直至暴露下电极；在下电极和衬底上形成压电层；在压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在下电极上形成具有平坦表面的压电层，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。

主权项：1.一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：刻蚀衬底形成空腔并在衬底的空腔中采用低温工艺填充牺牲层以降低衬底中残留热应力；在衬底上形成衬垫层；在衬底上形成下电极，所述衬垫层的左右端部与下电极下表面的左右端部对齐；在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；测量第二厚度，并根据第二厚度调节刻蚀介质层的工艺参数；刻蚀介质层直至暴露下电极；在下电极和衬底上形成压电层；在压电层上形成上电极，上电极尺寸大于下电极以完全覆盖牺牲层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州汉天下电子有限公司 平坦化FBAR谐振器制备方法

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