申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-02-19

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN111276399B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/02;H01L23/488

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要：本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆。本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。

主权项：1.一种焊盘结晶缺陷的返工方法，其特征在于，包括：提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层中形成有暴露部分所述金属层的开口，所述开口暴露出所述金属层的部分为焊盘，所述焊盘上形成有结晶缺陷；执行刻蚀工艺，以所述聚酰亚胺层为掩膜，所述聚酰亚胺层同时作为掩膜层和钝化层；刻蚀去除所述焊盘上的部分所述金属层，同时轰击所述结晶缺陷，以使所述结晶缺陷离散；执行清洗工艺，以将所述结晶缺陷去除；执行塑化工艺，在所述塑化工艺中从所述聚酰亚胺层中挥发出小分子量聚合物覆盖所述焊盘以形成保护层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件

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