申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727616A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/321

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种金属膜层的返工方法，包括：提供一衬底，其上覆盖有待返工的金属膜层，所述金属膜层包括依次设置的第一阻挡层、铝膜层及第二阻挡层；执行干法蚀刻工艺，去除所述第二阻挡层，以暴露所述铝膜层；执行湿法蚀刻工艺，去除所述铝膜层，以暴露所述第一阻挡层；执行研磨工艺，去除所述第一阻挡层及部分厚度的所述衬底，以暴露所述衬底表面。本发明中，不仅可在较小影响或不影响衬底表面的情况，完整去除剥离金属膜层，暴露衬底的表面，还可在一并去除金属膜层上或金属膜层中的缺陷时，对衬底表面进行一定程度的修复，以利于后续在其表面上再生金属膜层。

主权项：1.一种金属膜层的返工方法，其特征在于，包括：提供一衬底，其上覆盖有待返工的金属膜层，所述金属膜层包括依次设置的第一阻挡层、铝膜层及第二阻挡层；执行干法蚀刻工艺，去除所述第二阻挡层，以暴露所述铝膜层；执行湿法蚀刻工艺，去除所述铝膜层，以暴露所述第一阻挡层；执行研磨工艺，去除所述第一阻挡层及部分厚度的所述衬底，以暴露所述衬底表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属膜层的返工方法

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