申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117650429A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明公开了一种基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片及制备方法，其外延结构包括自下而上依次设置的N型电极、N型InP衬底、N型Alx1In1‑x1As下限制层、量子阱有源区、P型AlyIn1‑yAs电子阻挡层、P型Gaz1In1‑z1Asz2P1‑z2功能层、P型Alx2In1‑x2As上限制层、P型InP连接层、微透镜和P型电极；其中，P型GaInAsP功能层上刻蚀二维光子晶体，通过布拉格衍射条件垂直出射单模光束；微透镜上刻蚀一维浮雕光栅，调控出射激光光束的偏振特性。本发明可有效提高了正交偏振比，进一步降低光束发散角，实现了线偏振光束稳定输出的低发散角、高光束质量PCSEL复合芯片。

主权项：1.一种基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片，其特征在于，所述PCSEL复合芯片的外延结构包括自下而上依次设置的N型电极、N型InP衬底、N型Alx1In1-x1As下限制层、量子阱有源区、P型AlyIn1-yAs电子阻挡层、P型Gaz1In1-z1Asz2P1-z2功能层、P型Alx2In1-x2As上限制层和P型InP连接层，所述P型InP连接层上表面设有微透镜和P型电极；其中，所述P型GaInAsP功能层上刻蚀二维光子晶体，通过布拉格衍射条件垂直出射单模光束；所述微透镜上刻蚀一维浮雕光栅，调控出射激光光束的偏振特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 基于微透镜浮雕光栅的PCSEL复合芯片及制备方法

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