申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

申请日：2021-12-31

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN114361309B

主分类号：H01L33/20

分类号：H01L33/20;H01L33/00;H01L21/027;H01L21/033

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.05#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本公开提供了一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四时的PSS衬底。本公开的方法通过增加刻蚀工序每盘工艺片数，在相同数目机台的情况下，增加四时的PSS衬底的产量。

主权项：1.一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求的指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四吋的PSS衬底；在步骤一中，所述黄光PR图形参数为：上底宽度为1.8um-2.2um；下底宽度1.3um-2.3um；高度在1.6um-3.2um；在步骤二中，所述九片盘刻蚀生产包括ME主刻和OE过刻；所述ME主刻的参数为：背面氦气流量为4Torr-6Torr；工艺时腔体的压强为3mT-7mT；上电极的功率为1000W-2000W；下电极的功率为100W-500W；刻蚀气体BCl3Cl2为50-150sccm80-120sccm；工艺的时间为1800s-2000s；工艺的温度为15℃-25℃；所述OE过刻的参数为：背面氦气流量为4Torr-6Torr；工艺时腔体的压强为3mT-7mT；上电极的功率为1000W-2000W；下电极的功率为500W-1100W；刻蚀气体BCl3Cl2为50-150sccm80-120sccm；工艺的时间为1800s-2000s；工艺的温度为15℃-25℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽光智科技有限公司 四吋PSS衬底产量的提升方案

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD