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【发明公布】一种基于双Г型补偿结构的EC-WPT系统及其参数设计方法_重庆科技大学_202410081222.4 

申请/专利权人:重庆科技大学

申请日:2024-01-19

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117674437A

主分类号:H02J50/05

分类号:H02J50/05;H02J50/70;G06N3/006

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本申请提供一种基于双Г型补偿结构的EC‑WPT系统及其参数设计方法,用于解决现有技术中现有补偿网络的结构和参数设计方法并不能同时适用于LC和CL两种补偿结构的问题。具体步骤为:S1:计算耦合机构的耦合系数,给出耦合系数随准直距离的变化规律;S2:对基于双Г补偿结构的EC‑WPT系统进行分析,计算满足零输入阻抗角ZPA和系统输出恒压CV或恒流CC的约束条件;S3:建立系统在两种工作模态下的非线性规划模型,并基于多目标优化算法对系统结构及其参数进行优化,得到满足多约束条件的系统最优参数。本申请综合考虑了电场耦合器的正负耦合系数,可以方便、快速地配置系统补偿参数。该系统不仅可以在零输入阻抗角状态下工作,而且可以实现CV或CC输出。

主权项:1.一种基于双Г型补偿结构的EC-WPT系统的参数设计方法,基于双Г型补偿结构的EC-WPT系统包括耦合机构,所述耦合机构包括发射极板P1和P2以及接收极板P3和P4,所述发射极板P1和P2与原边Г型补偿网络连接,所述接收极板P3和P4与副边Г型补偿网络连接,其特征在于,参数设计方法具体步骤为:S1:计算耦合机构的耦合系数,给出耦合系数随准直距离的变化规律;S2:对基于双Г补偿结构的EC-WPT系统进行分析,计算满足零输入阻抗角ZPA和系统输出恒压CV或恒流CC的约束条件;S3:建立系统在两种工作模态下的非线性规划模型,并基于多目标优化算法对系统结构及其参数进行优化,得到满足多约束条件的系统最优参数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆科技大学 一种基于双Г型补偿结构的EC-WPT系统及其参数设计方法

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