申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117665364A

主分类号：G01R19/00

分类号：G01R19/00;G01R15/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种低温下基于霍尔效应可减小杂散场影响的大电流测量方法，利用霍尔元件测量通电导体产生的自场，通过对称反向安装的“霍尔对”减少复杂杂散场对测量精度的影响，通过室温下标定电流系数减小安装误差带来的电流测量精度的影响。该发明具有测量精度高误差小于0.1％、量程大0‑100kA、线性度高、原理简单、使用便捷等特点。

主权项：1.一种低温下基于霍尔效应可减小杂散场影响的大电流测量方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤1.安装霍尔元件和导体；两个霍尔元件组成一个霍尔对，分别对称安装于通电导体的两侧，且霍尔的安装方向相反；步骤2.设置霍尔夹具使霍尔元件的探测平面与通电导体的自场垂直；步骤3.对电流系数进行标定；在室温下通过直流电源给导体通电，通电过程中实时采集并记录电流及两霍尔元件输出的电压值UL,UR，分别计算两霍尔元件的霍尔电压-通电电流曲线的斜率，即得到两霍尔元件的电流系数kL,kR，单位为mVkA；步骤4.待测量的电流值可按公式计算，式中,k1,k2分别为两霍尔元件的磁场系数，为霍尔输出电压与磁场值的比值，由霍尔元件出厂文件给出，单位为mVkG；kL,kR分别为两霍尔元件的电流系数，为霍尔元件输出电压与通电电流的比值，通过室温标定获得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 一种低温下基于霍尔效应可减小杂散场影响的大电流测量方法

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